전자기파/전자기학의 경계치 문제/관련 예제
1. 예제 1: 반사 방지막
'''[문제]''' - 그림과 같이 굴절률 n1(z<0), n2(z<0<d), n3(z>d)로 3개의 층으로 구성된 유전체를 고려하자. 그림과 같이 p편광된 빛을 n1 영역에서 수직으로 입사했을 때, 다음 물음에 답하시오. '''(a)''' 반사율과 투과율을 구하시오. '''(b)''' 반사율이 최소로 되도록 하는 d와 그 때의 반사율을 구하시오. '''(c)''' 반사율이 [math(0)]이 되기 위한 n1, n2, n3의 관계식을 구하시오. (단, 유전체는 선형적이고 등방적인 물질이며, n1<n2<n3이다.) |
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'''(a)'''
각 영역에서 전기장과 자기장 세기은 아래와 같이 쓸 수 있다. 한 영역에선 +z으로 이동하는 파와 경계에서 반사된 파 모두 존재한다는 사실에 주의하라.
유전체 특성 상 μi≃μ0인 점을 썼고, 영역 x>d에서 무한한 영역에서 반사되어 오는 파는 물리적인 상황이 아니므로 −z로 진행하는 파는 기입하지 않았다. 따라서 우리는 경계 조건'''영역''' '''전기장''' '''자기장 세기''' x<0 x^[E1ei(k1z−ωt)+E1′e−i(k1z+ωt)] y^cμ0n1[E1ei(k1z−ωt)−E1′e−i(k1z+ωt)] 0<x<d x^[E2ei(k2z−ωt)+E2′e−i(k2z+ωt)] y^cμ0n2[E2ei(k2z−ωt)−E2′e−i(k2z+ωt)] x>d x^E3ei(k3z−ωt) y^cμ0n3E3ei(k3z−ωt) 를 쓰면, 4개의 방정식
E1(z=0)⋅t^E2(z=d)⋅t^H1(z=0)⋅t^H2(z=d)⋅t^=E2(z=0)⋅t^=E3(z=d)⋅t^=H2(z=0)⋅t^=H3(z=d)⋅t^이 나온다. 따라서 이 방정식을 통해 E3/E1을 구할 수 있으며, 그 값은,
E1+E1′n1(E1−E1′)E2eik2d+E2′e−ik2dn2(E2eik2d−E2′e−ik2d)=E2+E2′=n2(E2−E2′)=E3eik3d=n3E3eik3d이 된다. 이것으로 부터 투과율은 쉽게 결정되며, 그 값은,
E1E3=21[(1+n1n3)cos(k2d)−i(n1n2+n2n3)sin(k2d)]eik3d따라서 반사율은
T1=n3n1∣∣∣∣E3E1∣∣∣∣2=41n3n1[(1+n1n3)2cos2(k2d)+(n1n2+n2n3)2sin2(k2d)]=4n1n31[(n1+n3)2+n22(n12−n22)(n32−n22)sin2(k2d)]을 만족해야 하므로
T+R=1'''(b)'''
R=1−4n1n3[(n1+n3)2+n22(n12−n22)(n32−n22)sin2(k2d)]−1
n1<n2<n3을 만족할 때, 일반물리학에서 배웠던 박막 간섭 조건을 쓰자. 반사에 의한 파들이 소멸 간섭될 조건은이다. λ0는 진공에서 입사한 빛의 파장을 말한다. 따라서 위 조건에서 d가 최솟값이 되려면,
2n2d=λ0(m+21)(m=0,1,2,⋯)따라서 반사율의 최솟값은
d=4n2λ0=4k2c/ω2πc/ω→k2d=2π이 된다.
R=1−4n1n3[(n1+n3)2+n22(n12−n22)(n32−n22)]−1=(n1n3+n22n1n3−n22)2
'''(c)'''
반사율이 0이 될 조건은 '''(b)'''에서 도출된 반사율을 사용하면, 분자가 0이 되어야 함에 따라이 된다.
n2=n1n3
2. 예제 2 전반사 후 편광
'''[문제]''' - 입사면에 대해 +45∘만큼 기울어지게 선형 편광된 전자기파(아래 그림 참조)가 두 매질의 유전체 경계면에 전반사된다. 전반사된 전자기파가 '''(a)''' 선형 편광될 조건을 구하시오. '''(b)''' p편광, s편광 된 빛이 전반사 후에 갖는 위상을 각각 φp, φs라 하자. φp−φs=π/2를 만족하면, 전반사 후 원 편광이 되는지를 말하시오. |
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입사한 전자기파의 전기장 진폭을 E0라 두면, p편광, s편광된 빛의 진폭은 각각 E0/2가 된다.[1]그런데, 우리는 전반사 될 때, 반사 계수p편광은 입사면에 대해 평행하게, s편광은 입사면에 수직하게 전기장이 진동하는 것을 상기하라.임을 이미 알고 있다. 또한, 위 값들은 복소수량이므로
rp=iβn1+n2cosθ1iβn1−n2cosθ1rs=n1cosθ1+iβn2n1cosθ1−iβn2으로 쓸 수 있다. 이때,
rp=∣rp∣ei(ϕp+π)rp=∣rp∣eiϕs이다. 따라서
tan2ϕp=−n2cosθ1n1βtan2ϕs=−n1cosθ1n2β이 된다.
φp=ϕp+πφs=ϕs
위 식들에서 β를 소거하기 위해를 쓰면,
β2=−cos2θ2sinθ2=n2n1sinθ1이므로
−β2+(n2n1sinθ1)2=1→β=(n2n1sinθ1)2−1이상에서
β=n2n1sin2θ1−(n2/n1)2로 구해진다. 비록 구하지는 않겠지만,
tan2ϕp=−(n2/n1)2cosθ1sin2θ1−(n2/n1)2tan2ϕs=−cosθ1sin2θ1−(n2/n1)2임을 알 수 있다. 따라서 전반사 후 p편광, s편광된 전자기파의 진폭은
∣rp∣=∣rs∣=1으로 모두 같다.
∣rp∣2E0=∣rs∣2E0=2E0
'''(a)'''
전반사된 전자기파가 선형 편광되려면, 전반사 후 p편광, s편광된 각 파가 위상이 φp−φs=mπ (m은 정수)을 만족하면 된다. 자세한 것은 전자기파 문서를 참조하라. 그런데 이미임을 알고 있고, 두 위상각은 π 만큼 차이난다는 사실을 알 수 있다. 따라서
φp=ϕp+πφs=ϕs를 만족하면 선형 편광이 된다. 따라서 이것이 만족하려면,
ϕp=ϕs을 만족해야 한다. 즉, 임계각으로 입사하거나, 평행 입사시켜야 한다.
sinθ1=n2n1orθ1=2π
'''(b)'''
원형 편광이 되려면, 전반사 후 p편광, s편광된 전자기파의 진폭은 같아야 하는데, 이것은 이미 위에서 증명했다. 또한, 문제에서 주어진 조건은 수직인 파가 서로 위상차 π/2를 가지므로 원편광 될 수 있다.[2]다만, 우리는 추가적으로 두 굴절률에 대한 조건을 구해야 한다. 위상차이것에 대한 자세한 설명은 전자기파 문서의 편광 관련된 부분의 설명을 참조하라.라 하자. 우리는 원형 편광이 되려면 Δφ=π/2이 돼야 한다는 것을 이미 알고 있다. 이때,
φp−φs≡Δφ이고, 이것의 극값을 조사해보도록하자. 이것이 극값을 가질 조건은
Δφ=2⎣⎡tan−1⎝⎛−(n2/n1)2cosθ1sin2θ1−(n2/n1)2⎠⎞−tan−1⎝⎛−cosθ1sin2θ1−(n2/n1)2⎠⎞⎦⎤+π이다. 이때,
∂k∂(Δφ)=0라 놓으면, 각종 관계에 의해
k≡cosθ1sin2θ1−(n2/n1)2로 쓸 수 있다. 이 함수가 극값을 가질 때의 위상차를 Φ라 놓으면, 극값을 갖는
Δφ=2[tan−1(−kn22n12)−tan−1(−k)]+π이므로
k=n1n2그런데 우리가 만족시켜야 할 조건은
2Φ=tan−1(−n2n1)−tan−1(−n1n2)+2π이고, 맨 아래의 그래프의 형태를 참조할 때, 극솟값은 π/2보다 같거나 작아야 한다는 사실을 알 수 있다. 즉,
Δφ=2π→tan(2Δφ)=1이 성립해야 가질 수 있는 위상차 중 π/2를 포함하게 된다. 따라서
Φ≤2π을 만족해야한다는 사실을 알 수 있다. 이때,
tan(2Φ)≤tan(2Δφ)=1임을 쉽게 증명할 수 있다. 따라서
tan(2Φ)=1−(n2/n1)22(n2/n1)의 부등식이 작성되고, 우리는 전반사를 다루고 있기 때문에
1−(n2/n1)22(n2/n1)≤1또한 만족해야 하므로 이 두 부등식을 동시에 만족시켜주는 범위는
0<n1n2<1가 된다. 따라서 모든 내용을 정리하면, 문제에서 주어진 조건에서 전반사된 파가 원형 편광 되는 것은 가능하며, 추가 조건
0<n1n2≤2−1을 만족할 때만 원형 편광이 일어난다.
0<n1n2≤2−1
아래는 위에서의 Δφ, φp, φs를 θ1(입사각)의 함수로 그려본 것이다.
[image]
3. 예제 3 : 도체 박막
'''[문제]''' - 그림과 같이 진공과, 도체로 이루어진 세 영역이 있다. 도체 영역의 두께 d=15nm이다. p편광된 전자기파를 도체에 수직입사 시킬 때, z=0 경계면에서 입사파와 투과파, z=d 경계면에서 입사파와 투과파의 전기장의 진폭을 구하시오. 초기 입사시킨 파의 전기장 진폭은 E1=6.00V/m이고, 입사시킨 파의 진동수는 1015Hz이고, 도체의 전기 전도도는 38.6×106(Ω⋅m)−1이다. (단, 모든 매질의 자기 감수율은 1이다.) |
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도체 영역의 굴절률은 다음과 같이 구할 수 있다.그런데 전기 전도도 σc≫1을 만족하므로
n2~=n2+ik2으로 쓸 수 있다. 자세한 것은 이곳을 참조하라. 이때, n1=1이므로 투과 계수를 이용하면,
n2=k2=2ε0ωσc=1.86그런데 우리는 진폭 만을 고려하므로, 위상과 관련된 것은 우리의 관심사가 아니다. 따라서 다음과 같이 쓸 수 있다.
t~=n1+(n2+ik2)2n1이에 따라
E0E1=∣∣t~∣∣가 된다. 우리는 전자기파 문서에서 이미 도체 내의 전자기파는 급격이 감쇠된다는 것을 논의했고, 그 감쇠비는 아래와 같음을 논의했다.
E1=4.19V/m이때, δ는 침투 깊이이며, 다음과 같이 주어진다.
exp(−δz)따라서
δ≡ωk2c=σcμ0ω2이므로 주어진 값을 대입하면,
E2=E1exp(−δd)이다. 사실 상 0에 가깝게 감쇠되었음을 알 수 있다. 처음에 진공으로 부터 도체로 입사할 때와 비슷한 방법으로
E2=1.56×10−25V/m이므로 주어진 값을 대입하면,
E2E3=∣∣∣∣n1+(n2+ik2)2(n2+ik2)∣∣∣∣으로 구할 수 있다. 이 예제는 금속에 전자기파가 투과되었을 때, 급격히 감쇠된다는 것을 보여준다.
E3=2.03×10−25V/m
[각주]