가우스 법칙

 



1. 개요
2. 상세
3. 증명
3.1. 미분형
5. 물질에서의 가우스 법칙
6. 관련 문서


1. 개요


'''Gauss' law'''
고등학교 물리를 배우다가 일반물리학에서 전자기학을 배우게 되면서 가장 먼저 고등 물리에서 배우는 전자기학과의 차이점 중 하나이다.
닫힌(closed) 가우스 면(Gaussian surface)[1]을 임의로 잡았을 때, 가우스 면을 통과하는 전기선속(electric flux) $$ \displaystyle F$$는 다음과 같이 주어진다.

$$ \displaystyle F \equiv \oiint{ \mathbf{ E } \cdot \mathrm{d} \mathbf{ a } } = \dfrac{ q_{\textrm{enc} } }{ \varepsilon_{0} } $$
[1] 전자기학에서 폐곡면(closed surface)을 달리 이르는 말이다. 폐곡면이란 '내부 공간과 외부 공간을 분리하며, 이 표면을 지나지 않고는 한 공간에서 다른 공간으로 이동할 수 없게 하는 표면'을 뜻한다.
여기서 $$ q_{\textrm{enc} }$$(혹은 $$q_{\text{in}}$$)은 가우스 면 '''안(in)'''에 든 총 전하량이고, $$ \varepsilon_{0} $$은 진공에서의 유전율(permittivity)이다.
적분 내 항을 살펴보면, $$ \mathbf{E} $$은 전기장이고, $$ \mathrm{d} \mathbf{a} $$은 가우스 면에 수직하고 면적이 $$ \mathrm{d}a $$인 면적소 벡터이다. 면적소 벡터의 방향은 어떤 면적소의 영역에 수직하다.
즉, 가우스 면을 통과하는 전기선속은 가우스 면 안에 든 전하의 양에 비례한다는 것을 알 수 있다.

2. 상세


가장 간단하고 쉬운 설명은 어떤 닫힌 공간에 있어서 그 공간의 총 전기선속(electric flux)에 영향을 주는 것은 공간 내부의 전하뿐이라는 것이다.[2] 프랑스의 과학자 쿨롱이 발견한 두 전하간의 상호작용하는 힘을 나타내는 식, 바로 쿨롱의 힘이 근본이 된다. 이 때 어떤 전하가 다른 전하에 주게 되는 힘을 단위 전하당 가해지게 되는 힘을 나타낸것이 전기장이다.[3] 이 전기장에 면적을 곱한 것[4]이 전기선속[5]이다. 이 때 한 공간에 폐곡면을 잡았을 때 그 폐곡면 내부에 있는 전하의 값에 유전율을 나눈 값이 폐곡면에 해당하는 총 전기선속 값이라는 것이다.[6]

3. 증명


어떤 부피 영역 $$V$$를 감싸는 폐곡면 $$S$$를 고려하도록 하자. 또한 아래 그림과 같이 $$S$$ 내부에 미소 전하 $$\mathrm{d}q$$가 있다고 해보자.
[image]
이제 우리는 이 미소 전하에 의한 $$S$$ 위의 미소 전기력 선속 $$\mathrm{d}F$$를 구하고자 한다. 구하는 전기력 선속은

$$\displaystyle \mathrm{d}F=\oiint_{S}\mathbf{E} \cdot \mathrm{d} \mathbf{a} $$
[2] 물론 총 전기선속이 0이라 해서 그 공간의 전기장이 0인 것은 아니다. 전기 쌍극자만 봐도 알 수 있는 것[3] 이것을 설명하는 이론이 바로 장 이론. 전자기학에서는 원천전하로부터 전기장이 발생해 이 전기장이 다른 전하에 힘을 주게 된다는 것이다. 쿨롱의 힘에서 힘이 가해지는 전하의 전하를 나누고 식을 봤을 때 거리 제곱의 역수에 비례하는 것으로 직관적으로 알 수 있다. 자세한 것은 전기장 참고[4] 정확히 말하면 면적벡터에 내적한 것[5] 전기장을 미소면적에 대해 내적한 값이 미소 전기선속이므로 이것을 적분한 값이 전확인 그 면적에 해당하는 전기선속 값이다.[6] 물론 진공 속이 아닌 경우 유도전하가 생기므로 두 개의 경우로 나타낼 수 있게 된다.
$$\mathbf{E}$$는 미소 전하에 의한 $$S$$ 위의 미소 넓이 영역 $$\mathrm{d}a$$ 위에서의 전기장임에 유의한다. 이때, 전기장 문서의 내용과 분리 벡터 $$\boldsymbol{\xi} \equiv \mathbf{r-r'}$$의 표현을 빌리면,

$$\displaystyle \mathbf{E}=\frac{\mathrm{d}q}{4 \pi \varepsilon_{0}} \frac{ \hat{\boldsymbol{\xi}} }{\xi^{2}} $$
이고, $$\mathrm{d}q$$는 $$S$$에 대한 적분과 무관하므로,

$$\displaystyle \mathrm{d}F=\frac{\mathrm{d}q}{4 \pi \varepsilon_{0}} \oiint_{S} \frac{ \hat{\boldsymbol{\xi} } \cdot \mathrm{d} \mathbf{a} }{\xi^{2}} $$
으로 쓸 수 있다. 그런데, 적분항은 입체각 문서를 참고하면, 결국 미소 전하의 위치를 기준으로 구한 폐곡면 $$S$$의 입체각이다. 그런데 해당 기준점은 폐곡면 내부에 있으므로 적분의 값은 $$4 \pi$$가 된다. 따라서

$$\displaystyle \mathrm{d}F=\frac{\mathrm{d}q}{\varepsilon_{0}} $$
따라서 총 전하에 대한 선속은

$$\displaystyle F=\iiint_{V} \frac{\mathrm{d}q}{\varepsilon_{0}}=\frac{q_{\text{enc} }}{\varepsilon_{0}} $$
이 된다. 미소 전하가 폐곡면 내에 있는 경우에 대해서만 논의하기 때문에 $$\mathrm{d}q$$를 $$V$$에 대한 적분을 하면, $$S$$안에 든 전하량 $$q_{\text{enc}}$$로 나옴에 유의해야 한다.
그렇다면, 아래의 그림과 같이 미소 전하가 폐곡면 $$S$$ 외부에 있으면 어떻게 될까?
[image]
이 경우에도

$$\displaystyle \mathrm{d}F=\frac{\mathrm{d}q}{4 \pi \varepsilon_{0}} \oiint_{S} \frac{ \hat{\boldsymbol{\xi} } \cdot \mathrm{d} \mathbf{a} }{\xi^{2}} $$
가 될 것이다. 그러나, 적분 항은 위에서도 언급했듯, 결국 미소 전하의 위치를 기준으로 구한 폐곡면 $$S$$의 입체각이었으며, 기준점이 폐곡면 외부에 있기 때문에 이 폐곡면에 대한 입체각은 0이다.[7] 따라서 폐곡면 외부에 미소 전하는 선속에 기여하지 못하게 된다는 것을 알 수 있다.
이에 따라 가우스 법칙은 아래와 같은 결론을 주게 되고,

$$\displaystyle F=\oiint_{S}\mathbf{E} \cdot \mathrm{d} \mathbf{a}=\frac{q_{\text{enc} }}{\varepsilon_{0}} $$
[7] 설명이 필요하다면, 입체각 문서를 보라.
이 선속 자체는 위 결과에 따라 $$S$$ 안에 든 전하들에 의해서만 기여되므로 $$q_{\text{enc}}$$는 $$S$$ 안에 든 전하량이어야 함을 얻는다.

3.1. 미분형


계속해서 가우스 법칙의 미분형을 유도하자. 발산 정리에 의해

$$ \displaystyle \oiint_{S}{ \mathbf{ E } \cdot \mathrm{d} \mathbf{ a } } =\iiint_{V}{(\boldsymbol{\nabla} \cdot \mathbf{E})\,\mathrm{d}V} $$
로 바꿀 수 있고,

$$ \displaystyle \oiint_{S}{ \mathbf{ E } \cdot \mathrm{d} \mathbf{ a } } =\frac{1}{4\pi\varepsilon_{0}} \oiint_{S}{\frac{\hat{\boldsymbol{\xi}} \cdot \mathrm{d}\mathbf{a}}{{{\xi} }^{2}}} \iiint_{V}{\,\mathrm{d}q} $$
에서 $$ S $$에 대한 적분은 폐곡면 내부에 대한 입체각 적분이어서 그 값은 $$ 4\pi $$로 주어지므로

$$ \displaystyle \oiint_{S}{ \mathbf{ E } \cdot \mathrm{d} \mathbf{ a } } = \iiint_{V}\frac{\mathrm{d}q}{\varepsilon_{0}} $$
이 된다. 따라서 결과를 종합하면,

$$ \displaystyle \iiint_{V}{(\boldsymbol{\nabla} \cdot \mathbf{E})\,\mathrm{d}V} = \iiint_{V}\frac{\mathrm{d}q}{\varepsilon_{0}} $$
전하밀도(charge density) $$ \rho \equiv \mathrm{d}q/\mathrm{d}V $$를 도입하면,

$$ \displaystyle \mathrm{d}q = \rho \, \mathrm{d}V $$
로 바꿀 수 있고, 적분에 대입하면,

$$ \displaystyle \iiint_{V}{(\boldsymbol{\nabla} \cdot \mathbf{E})\,\mathrm{d}V} = \iiint_{V}\frac{\rho}{\varepsilon_{0}}\,\mathrm{d}V $$
이상에서

$$ \displaystyle \boldsymbol{\nabla} \cdot \mathbf{E} = {\rho \over \varepsilon_0} $$
를 얻을 수 있다. 이 결과를 물리적으로 해석해보면, 전기장의 원천은 전하임을 알 수 있다. 가우스 법칙은 맥스웰 방정식의 첫 번째 식이며, 자세한 사항은 맥스웰 방정식을 참조하기 바란다.

4. 대표 예제




5. 물질에서의 가우스 법칙




6. 관련 문서